? 8層硬件堆棧 層硬件堆棧 x11bitx11bitx11bit x11bitx11bit
? 2T 或 4T 指令周期
? 2K x14bx14b x14b程序存儲空間（ 程序存儲空間（ 程序存儲空間（ 16bytes/page 16bytes/page16bytes/page16bytes/page16bytes/page 16bytes/page 16bytes/page 16bytes/page）
? 256x8b 256x8b 256x8b 數據 EEPROMEEPROMEEPROMEEPROM EEPROM（16bytes/page 16bytes/page16bytes/page16bytes/page16bytes/page 16bytes/page 16bytes/page 16bytes/page）
? 數據 EEPROMEEPROMEEPROMEEPROM EEPROM在應用編程 在應用編程
? 128 x8b SRAMx8b SRAM x8b SRAM x8b SRAMx8b SRAMx8b SRAM
? 1 x 帶 8位預分頻的定時器 位預分頻的定時器 位預分頻的定時器 0
? 1 x 帶 8位預分頻的定時器 位預分頻的定時器 位預分頻的定時器 2
? 帶 7位預分頻的 位預分頻的 WDTWDTWDT，溢出頻率約為 ，溢出頻率約為 ，溢出頻率約為 16 -2048ms2048ms 2048ms 2048ms
? 上電延遲計數器 上電延遲計數器 PWRTPWRTPWRTPWRT
? 低功耗模式 低功耗模式 SLEEPSLEEPSLEEPSLEEPSLEEP
? 多個喚醒源， 多個喚醒源， INT 、 端口變化中斷、 端口變化中斷、 端口變化中斷WDTWDTWDT、數據 EEPROMEEPROMEEPROMEEPROMEEPROMEEPROM寫完成，等 寫完成，等
? 內置高速 16M RC 16M RC 16M RC 振蕩器 振蕩器
? 內置低速 32K RC 32K RC32K RC 振蕩器 振蕩器
? 支持外部晶振 支持外部晶振 16M16M 或 32K32K ，以及外部時鐘模式 ，以及外部時鐘模式 ，以及外部時鐘模式
? 時鐘缺失檢測 時鐘缺失檢測
? 雙速啟動模式（晶體或外部時鐘下） 雙速啟動模式（晶體或外部時鐘下） 雙速啟動模式（晶體或外部時鐘下） 雙速啟動模式（晶體或外部時鐘下） 雙速啟動模式（晶體或外部時鐘下） 雙速啟動模式（晶體或外部時鐘下）
? 內置 2個高速精度比較器 個高速精度比較器 個高速精度比較器 個高速精度比較器
? 可編程的片上參考電壓 可編程的片上參考電壓 可編程的片上參考電壓
? 比較可直接輸出 比較可直接輸出 比較可直接輸出
? 較多 16 個通用 個通用 IO ，18 根芯片管腳 根芯片管腳
? 7個 IO 帶獨立上拉控制 帶獨立上拉控制 帶獨立上拉控制
? 端口變化中斷， 端口變化中斷， RA0 RA0-RA7 RA7
? 支持在系統(tǒng)編程 支持在系統(tǒng)編程 ICSPICSP ICSP
? 支持在線調試 支持在線調試
? 程序空間保護 程序空間保護
? 工作電壓范圍： 工作電壓范圍： 2.0V 2.0V-5.5V 5.5V
? 較大時鐘工作頻率： 較大時鐘工作頻率： 較大時鐘工作頻率： 16MHz16MHz 16MHz16MHz
? FSYS SYS=8MHz: 2.0V=8MHz: 2.0V=8MHz: 2.0V =8MHz: 2.0V=8MHz: 2.0V =8MHz: 2.0V=8MHz: 2.0V=8MHz: 2.0V-5.5V 5.5V
? FSYS SYS=16MHz: 2.7V=16MHz: 2.7V=16MHz: 2.7V =16MHz: 2.7V=16MHz: 2.7V=16MHz: 2.7V =16MHz: 2.7V =16MHz: 2.7V-5.5V 5.5V
封裝類型： 封裝類型： SOP8SOP8SOP8SOP8、SOP1SOP1SOP1SOP14、SOP16SOP16SOP16SOP16 、SOP18SOP18SOP18SOP18 、TSSOP20TSSOP20TSSOP20TSSOP20TSSOP20TSSOP20 、DIP18 DIP18DIP18 、SSOP10SSOP10SSOP10SSOP10SSOP10

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